底层存储架构实现国产原创突破 深企泓德源芯系列新品亮相湾芯展

10月14日，2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）现场，深圳市泓德源芯科技有限公司举行PLF（Physical Logic Flash）全新闪存架构暨系列新品发布会：国内原创PLF底层闪存架构、融合PUF物理不可克隆与PQC后量子密码的量子AI存储安全防御方案，以及32Mb‑128Mb SPI NOR全系列商用芯片正式对外亮相。

这标志着国产非易失性存储在闪存底层物理架构上实现从跟随仿制走向源头原创的关键跨越，依托自有全套IP与专利体系，为国内存储产业开辟了一条全国产自主可控的全新技术路线。政府部门代表、院士专家、科研院校、投资机构、产业链上下游企业齐聚现场，见证本土存储底层技术里程碑成果。

据介绍，泓德源芯专注存储芯片自主研发设计，核心深耕SPI NOR Flash，同步布局SLC/MLC NAND Flash与下一代前沿存储技术，目标打造高可靠、高安全的国产存储芯片产品。

该公司核心研发团队由一批拥有25年以上半导体芯片研发与量产实战经验的行业专家组建，覆盖芯片设计、模拟电路、数字芯片、嵌入式软件、IC验证测试全链条能力，具备从产品规格定义、架构开发到商业化量产导入的完整闭环实力，团队过往积累0.18μm‑28nm多代制程项目经验，为PLF架构的落地迭代打下扎实人才基础。

行业主流传统浮栅NOR Flash长期受固有物理机理约束，工艺微缩遭遇难以逾越的瓶颈。氧化层微小缺陷即可诱发电荷泄露，造成整颗芯片批量失效，同时还存在单元串扰、光罩成本高、先进制程缩放能力差等行业顽疾，限制闪存向更小工艺节点演进。

据透露，泓德源芯PLF架构对存储单元堆栈完成结构性重构，摒弃传统导电多晶硅浮栅，改用绝缘氮化硅作为电荷捕获介质，电子被禁锢在氮化硅内部海量独立深层陷阱位点，搭配隧穿氧化层、阻挡氧化层双层能量屏障，从物理根源抑制电荷逸散。

对比传统浮栅方案，PLF架构拥有四大差异化硬核优势：一是面积与成本优势，二是强大制程扩展能力，三是高可靠兼顾低功耗，四是高度兼容国内CMOS产线，大幅降低新技术产业化落地门槛，缩短研发周期。

基于产业窗口机遇，泓德源芯对外披露中长期发展战略：在现有SPI NOR产品线基础上，持续拓展SLC/MLC NAND完整产品矩阵，卡位工业控制、车载电子、关键基础设施等高可靠赛道。该公司明确阶段性发展目标：力争2027年前国内工业级NAND市场份额不低于20%，2030年冲击30%以上市场占比；同时推进全链条垂直整合，持续提升核心零部件本土化率，打通全链路闭环，实现可持续增长。

（图片由受访单位提供）

编辑 李斌 审核 梁松滔 郑蔚珩